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balluff光电传感器BGL50A-003-S49技术参数分析

更新时间:2023-10-31浏览:678次

balluff光电传感器BGL50A-003-S49技术参数分析

balluff光电传感器在这种转换过程中有许多物理量(例如压力、流量、加速度等)常常需要先变换为位移,然后再将位移变换成电量。因此位移传感器是一类重要的基本传感器。在生产过程中,位移的测量一般分为测量实物尺寸和机械位移两种?;滴灰瓢ㄏ呶灰坪徒俏灰?。按被测变量变换的形式不同,位移传感器可分为模拟式和数字式两种。模拟式又可分为物性型(如自发电式)和结构型两种。常用位移传感器以模拟式结构型居多,包括电位器式位移传感器、 电感式位移传感器、自整角机、电容式位移传感器、电涡流式位移传感器、霍尔式位移传感器等。

balluff光电传感器在机器和系统的传感器技术领域,巴鲁夫以其不同的工作原理提供整个技术多样性。我们为每一种应用和要求提供高质量和精确的传感器和系统,从位移测量和识别到物体检测和流体测量。用于日常工业应用以及在和恶劣环境中使用的传感器。此外,我们还为您提供网络和连接技术,以及广泛的配件。我们的传感器技术构成了您的机器和系统的自动化和数字化的基础。我们为您的工艺提供最高精度和最佳质量的传感器。

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balluff光电传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应,即在外力作用下产生机械形变,从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类,金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高(通常是丝式、箔式的几十倍)、横向效应小等优点。用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。



 

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