贺德克HYDAC压力传感器使硅材料成为制造微机电和微机械结构zui主要的优选材料。但是，硅材料对温度极为敏感，其电阻温度系统接近于2000×10^-6/K的量级。因此，凡是基于硅的压阻效应为测量原理的传感器，必须进行温度补偿，这是不利的一面；而可利用的一面则是，在测量其他参数的同时，可以直接对温度进行测量。不同晶粒有不同的单晶取向，而每一晶粒内部有单晶的特征。晶粒与晶粒之间的部位叫做晶界，晶界对其电特性的影响可以通过掺杂原子浓度调节。贺德克HYDAC压力传感器多晶硅膜一般由低压化学气相淀积（LPVCD）法制作而成，其电阻率随掺硼原子浓度的变化而发生较大变化。多晶硅膜的电阻率比单晶硅的高，特别在低掺杂原子浓度下，多晶硅电阻率迅速升高。随掺杂原子浓度不同，其电阻率可在较宽的数值范围内变化。 
贺德克HYDAC压力传感器为单晶硅电阻应变灵敏系数zui大值的1/3；横向应灵敏系数，其值随掺杂浓度出现正负变化，故一般都不采用。此外，与单晶硅压阻相比，多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作，如在介电体（SiO2、Si3N4）上。其制备过程与常规半导体工艺兼容，且无PN结隔离问题，因而适合更高工作温度（t≥200℃）场合使用。在相同工作温度下，贺德克HYDAC压力传感器多晶硅压阻膜与单晶硅压阻膜相比，可更有效地抑制温度漂移，有利于长期稳定性的实现。多晶硅电阻膜的准确阻值可以通过光刻手段获得。 
贺德克HYDAC压力传感器可调的电阻率特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数及能达到准确调整阻值的特点。所以在研制微传感器和微执行器时，利用多晶硅膜这些电学特性，有时比只用单晶硅更有价值。例如，利用机械性能优异的单晶硅制作感压膜片，在其上覆盖一层介质膜SiO2，再在SiO2上淀积一层多晶硅压阻膜。这种混合结构的微型压力传感器，贺德克HYDAC压力传感器发挥了单晶硅和多晶硅材料各自的优势，其工作高温至少可达200℃，甚至300℃；低温为-60℃。